Samsung 850 Pro, 2,5" SSD, 512GB

Samsung 850 Pro

SSD disk Samsung 850 PRO, nástupca 840 PRO, je prvým úložiskom založeným na 3D VNAND flash pamäte. Vďaka tomuto ponúka výnimočný výkon čítania a zápisu (až 2x vyššia oproti bežným 2D flash), vysokú spoľahlivosť a excelentné riadenie spotreby energie. Záruka bola predĺžená na bezkonkurenčných 10 rokov a samozrejmosťou zostáva 256-bit šifrovanie a až 100K IOPS.

Štvrtá generácia MEX radiče zabezpečuje až o 50% nižšiu spotrebu energie oproti pevným diskom. SSD disk radu 850 PRO je určený predovšetkým náročným užívateľom, je ideálny pre hranie hier a prácu s HD video súbory.

Čo je architektúra V-NAND a čím sa líši od existujúcej technológie?

Pamäť flash od spoločnosti Samsung sa vyrába pomocou inovatívnej 3D architektúry V-NAND, ktorá využíva 32 vrstiev buniek nad sebou namiesto toho, aby sa pokúšala skrátiť dĺžku a šírku buniek a vtesnať ich do súčasných zmenšujúcich sa konštrukcií. Výsledkom je vyššia hustota a väčší výkon na menšej ploche a prelom v prekonávaní limitov hustoty bežnej planárnej architektúry NAND

Disk SSD, ktorý vás nikdy nepodrazí

Vďaka dvakrát dlhšej výdrži než predchádzajúci model* bude disk 850 PRO pracovať tak dlho ako vy. Technológia V-NAND od spoločnosti Samsung je navrhnutá tak, aby zvládla 150 zapísaných terabajtov (TBW), čo zodpovedá dennému pracovnému zaťaženiu pri čítaní a zápise 40 GB po dobu 10 rokov. Tento disk sa okrem toho dodáva s 10-ročnou obmedzenou zárukou, ktorá patrí k najdlhším vo svojej oblasti. *840 PRO: 73 TBW > 850 PRO: 150 TBW

Pracujte dlhšie vďaka inováciám zvyšujúcim účinnosť

Účinné súčasti na správu napájania disku 850 PRO vám umožňujú pracovať dlhšie a produktívnejšie. Disk 850 PRO, ktorý sa môže pochváliť najnižšou spotrebou pri plnom využití medzi všetkými diskami SSD, spotrebováva menej energie a zároveň si udržiava špičkový výkon. Disk 850 PRE plne podporuje spánkový režim v počítačoch Ultrabook™, v ktorom spotrebováva len 2 mW energie. Vyrovnávacia pamäť LPDDR2 okrem toho poskytuje vyšší výkon a zároveň má o 30% nižšiu spotrebu energie v aktívnom režime a o 93% nižšiu spotrebu energie pri nečinnosti ako bežné pamäte DDR2 alebo DDR3.