skladom ihneď k odberu
Moje konto
Samsung 990 EVO M.2 SSD, 1TB
Viac obrázkov
o 70 % vyššia energetická účinnosť v porovnaní s predchádzajúcim modelom, špičkový algoritmus kontroly teploty od spoločnosti Samsung, spárovaný s Dynamic Thermal Guard
interný disk, SSD, M.2 , TLC, PCIe Gen4, 1 TB, čítanie 5000 MB/s, zápis 4200 MB/sZobraziť viac
82,79 €
68,99 € bez DPH
Kód tovaru
419373
PN kód
MZ-V9E1T0BW
Výrobca
Záruka
60 mesiacov
Varianty1
ihneď k odberu
163,90 €
s DPH
Parametre
|
Kapacita a pripojenie |
|
|---|---|
|
Pripojenie Typ zbernice ktorú disk používa pre pripojenie.
|
PCIe Gen4 |
|
Kapacita Určuje presnu kapacitu disku v gigabajtoch
|
1000 GB |
|
Rýchlosť disku |
|
|
Rýchlosť čítania |
5000 MB/s |
|
Rýchlosť zápisu |
4200 MB/s |
|
Náhodné čitanie IOPS Náhodné čitanie IOPS je dôležitý ukazovateľ výkonnosti ssd diskov. IOPS znamená počet vstupno-výstupných operácií za sekundu, ktoré disk dokáže spracovať. Náhodné čitanie IOPS sa meria pri náhodnom prístupe k malým blokom dát na disku. Čím vyššia je hodnota náhodného čítania IOPS, tým rýchlejšie dokáže disk načítať dáta z rôznych miest.
|
680 000 |
|
Náhodný zápis IOPS Náhodný zápis IOPS je ukazovateľ výkonnosti, ktorý meria počet operácií vstupu/výstupu za sekundu, ktoré môže disk vykonať pri náhodnom zapisovaní dát. Čím vyššia je hodnota IOPS, tým rýchlejšie môže disk zapisovať dáta na rôzne miesta. Náhodný zápis IOPS je dôležitý pre aplikácie, ktoré vyžadujú veľa náhodných zápisov, ako sú databázy alebo hry.
|
800 000 |
|
Typ disku |
|
|
Kategória HDD |
interný disk |
|
Technológia disku HDD disky využívajú rotujúce platne pre zápis dát, SSD disky zapisujú dáta na pamäťové čipy. SSD ponúkajú výrazne vyššiu rýchlosť avšak pomerom cena/kapacita sú menej výhodne.
|
SSD |
|
Tvarový faktor (Form factor) Tento parameter určuje fyzicky štandard disku
|
M.2 |
|
Typ pamäte flash Typ pamäte flash je spôsob ukladania dát v elektronických zariadeniach. Flash pamäť funguje na princípe elektrických nábojov, ktoré sa uchovávajú v bunkách zložených z tranzistorov. Existujú rôzne typy flash pamäte podľa toho, koľko bitov dát sa ukladá v jednej bunke. TLC (triple-level cell) je typ flash pamäte, ktorý ukladá tri bity dát v jednej bunke.
|
TLC |
|
Prevedenie |
štandardný |
OPÝTAJTE SA PORADCU
Recenzie2
95%
(2x)
Recenzie Samsung 990 EVO M.2 SSD sú nezávislým názorom zákazníkov, ktorí si tovar zakúpili v eshope Datacomp. Priemerné hodnotenie produktu podľa recenzií je 95%
Marian, Seňa
Pridané: 23.10.2024
100%Nemam žiadnu zlú skúsenosť s timto tovarom, zatiaľ všetko šlape ako má.
- Kvalita za super cenu.
Mikulas, Košice
Pridané: 5.4.2024
90%Skoda, ze skrutka, podlozka pre M.2 slot nie je sucastou dodavky. Je to centova polozka pre vyrobcu.
- Vyborny produkt - rychlost prenosu.
Alternatívy pre Samsung 990 EVO M.2 SSD 6
Popis produktu
Samsung 990 EVO M.2 SSD
Rýchlosť, ktorá zostáva vpredu
990 EVO ponúka vylepšené rýchlosti sekvenčného čítania/zápisu až 5 000/4 200 MB/s a rýchlosti náhodného čítania/zápisu až 700 000/800 000 IOPS, čím dosahuje o 43 % vyššiu rýchlosť ako 970 EVO Plus 2TB. Menej čakajte na hry a získajte rýchly prístup k veľkým súborom.
Inteligentné tepelné riešenie
Štítok rozvádzača tepla 990 EVO pomáha tepelnej kontrole čipu NAND. Špičkový algoritmus kontroly teploty od spoločnosti Samsung, spárovaný s Dynamic Thermal Guard, zaisťuje konzistentný a spoľahlivý výkon. Udržujte svoj výkon, nie vašu jazdu.
Uvedenie inovácií do života
Pamäť NAND flash od spoločnosti Samsung už desaťročia poháňa prelomové technológie, ktoré zmenili každú časť nášho každodenného života. Táto technológia NAND flash poháňa aj naše spotrebiteľské SSD disky, čím vytvára priestor pre ďalší veľký pokrok v oblasti inovácií.
Kľúčové vlastnosti:
Technické parametre
Model: Samsung 990 EVOKapacita: 1 000GB
Typ zariadenia: M.2
Pamäť: Samsung V-NAND TLC
Rýchla vyrovnávacia pamäť: HMB (vyrovnávacia pamäť hostiteľa)
Výkon:
- čítacia rýchlosť : až 5 000 MB / s
- zapisovacia rýchlosť: až 4 200 MB / s
Náhodné čítanie (4 KB, QD32): až 680 000 IOPSNáhodný zápis (4 KB, QD32): až 800 000 IOPS
Náhodné čítanie (4 KB, QD1): až 20 000 IOPS
Náhodný zápis (4 KB, QD1): až 90 000 IOPS
Rozhranie: PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0Prevádzková teplota: 0 - 70°C
Hmotnosť: 9,0 g
Rozmery (ŠxVxH): 80 x 22 x 2,38 mm
www.samsung.com/sk/support/model/MZ-V9E1T0BW/